400-677-0098
碳化硅外延生長爐
碳化硅外延生長爐
產(chǎn)品描述：
碳化硅外延生長爐主要用于石墨盤或碳化盤的碳化硅外延生長制備
應(yīng)用范圍：
石墨盤、碳化盤

碳化硅外延生長爐技術(shù)特征

采用先進(jìn)的控制技術(shù)，能精密控制MTS/MS的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定，壓力波動小；

多通道工藝氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；

多級高效尾氣處理系統(tǒng)，能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點(diǎn)粘性產(chǎn)物，環(huán)境友好；

適于工藝氣氛：真空/H2/N2/Ar/MTS/MS。

碳化硅外延生長爐產(chǎn)品規(guī)格

參數(shù)\型號HCVD-101015-SiCHCVD-152023-SiCVCVD-0608-SiCVCVD-0612-SiCVCVD-0812-SiCVCVD-1120-SiCVCVD-1218-SiCVCVD-1520-SiC
工作區(qū)尺寸 W×H×L（mm）1000×1000×15001500×2000×2300600×800600×1200800×12001100×20001200×18001500×2000
最高溫度（℃）15001500150015001500150015001500
溫度均勻性（℃）±10/±15±15/±20±5/±7.5±7.5/±10±7.5/±10±10/±15±10/±15±15/±20
極限真空度（Pa）1-1001-1001-1001-1001-1001-1001-1001-100
壓升率（Pa/h）0.670.670.670.670.670.670.670.67
加熱方式電阻電阻電阻電阻電阻電阻電阻電阻

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)整，不作為驗(yàn)收依據(jù)，具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。

碳化硅外延生長爐配置選擇

結(jié)構(gòu)形式：臥式-單開門/雙開門；立式-上出料/下出料

爐門鎖緊方式：手動/自動

爐殼材質(zhì)：內(nèi)層不銹鋼/全不銹鋼

保溫材質(zhì)：碳?xì)?石墨氈/碳纖維固化氈

加熱器、馬弗材質(zhì)：石墨/CFC

熱電偶：C/S分度號

真空泵：機(jī)械泵組/耐腐蝕泵組

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半導(dǎo)體材料熱工裝備

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