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一文讀懂第三代半導(dǎo)體材料—碳化硅

發(fā)布時(shí)間：2020-04-01發(fā)布人：瀏覽： 次
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SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢

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